Постановление Кабинета Министров Республики Узбекистан от 25.06.2018 г. N 468 "О создании Научно-исследовательского института физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана имени Мирзо Улугбека"

Функция недоступна

ПОСТАНОВЛЕНИЕ

КАБИНЕТА МИНИСТРОВ

РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН

25.06.2018 г.

N 468

О СОЗДАНИИ

НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО

ИНСТИТУТА ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

И МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ ПРИ НАЦИОНАЛЬНОМ

УНИВЕРСИТЕТЕ УЗБЕКИСТАНА

ИМЕНИ МИРЗО УЛУГБЕКА

В целях качественного исполнения программных задач, определенных в постановлениях Президента Республики Узбекистан от 27 июля 2017 года N ПП-3151 "О мерах по дальнейшему расширению участия отраслей и сфер экономики в повышении качества подготовки специалистов с высшим образованием" и от 1 ноября 2017 года N ПП-3365 "О мерах по дальнейшему укреплению инфраструктуры научно-исследовательских учреждений и развитию инновационной деятельности", а также проведения глубоких фундаментальных и прикладных исследований в области физики, разработки инновационных технологий исходя из потребностей реальных секторов экономики страны и широкого вовлечения молодых ученых и студентов в научный процесс Кабинет Министров ПОСТАНОВЛЯЕТ:

1. Принять предложение Министерства высшего и среднего специального образования, Министерства экономики и Министерства инновационного развития Республики Узбекистан о создании на базе лаборатории Физики полупроводников и микроэлектроники Физического факультета Национального университета Узбекистана имени Мирзо Улугбека Научно-исследовательского института физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана имени Мирзо Улугбека (далее - Институт).

2. Определить основными задачами и направлениями деятельности Института:

участие в формировании приоритетных направлений и проведение фундаментальных и прикладных научных исследований, реализацию инновационных проектов в области физики полупроводников, полупроводниковой микроэлектроники, материаловедения, гелиофизики и альтернативных источников энергии, в том числе путем организации кластерной формы выполнения проектов научных исследований, а также анализ современных мировых тенденций развития отрасли физики полупроводников и микроэлектроники;

разработку технологий создания новых полупроводниковых материалов и исследование параметров многослойных структур на их основе, являющихся базовыми элементами микроэлектроники и фотоники;

создание современных полупроводниковых приборов различного функционального назначения со стабильными и воспроизводимыми параметрами, востребованных в высокотехнологичных сферах и отраслях экономики республики;

укрепление материально-технической базы Института современным учебным и научным лабораторным оборудованием, необходимым для проведения научных исследований и реализации инновационных проектов в области физики полупроводников и полупроводниковой микроэлектроники;

разработку и осуществление мероприятий по взаимодействию высших образовательных учреждений, научно-исследовательских учреждений, органов хозяйственного управления, промышленных и других заинтересованных организаций, а также частного сектора, направленных на внедрение инноваций в области физики полупроводников и полупроводниковой микроэлектроники;

обеспечение интеграции фундаментальной и прикладной науки с образовательным процессом на всех этапах, включая использование лабораторной базы для выполнения учебно-экспериментальных, лабораторных и курсовых работ, производственной и преддипломной практики;

повышение качества и уровня учебно-методической работы путем оказания содействия в создании новых учебных программ, учебников, учебных пособий соответствующих направлений образования бакалавриата и специальностей магистратуры;

установление и развитие международных связей, организацию разработки и выполнения совместных международных проектов в области физики полупроводников и полупроводниковой микроэлектроники, а также проведения международных научных конференций и симпозиумов;

оказание научно-методического содействия в подготовке бакалавров и магистров, а также подготовку научно-педагогических кадров высшей квалификации путем организации обучения в институтах послевузовского образования на базе Института по соответствующим специальностям физики;

разработку наукоемких технологий и внедрение инновационных разработок в области физики полупроводников, микроэлектроники и фотоники в производство, а также коммерциализацию результатов научных исследований в соответствии с потребностями организаций и отраслей экономики республики.

4. Установить, что:

Институт является юридическим лицом в форме государственного учреждения, имеет печать и бланки с изображением Государственного герба Республики Узбекистан и своим наименованием на государственном языке, самостоятельный баланс, казначейские лицевые счета в Казначействе Министерства финансов Республики Узбекистан;

директор Института назначается на должность и освобождается от должности министром высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан.

5. Согласиться с предложением Министерства высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан о:

передаче Институту уникального научного объекта "Электростатический ускоритель ЭГ-2 СОКОЛ" в целях изучения влияния воздействия различных видов излучения на свойства полупроводниковых материалов и приборов на их основе;

создании в Институте редакции научного журнала "Физика полупроводников и микроэлектроника" для опубликования результатов научно-исследовательских работ.

6. Определить источниками финансирования деятельности Института:

средства Государственного бюджета Республики Узбекистан, выделяемые на финансирование расходов по содержанию зданий и сооружений, а также оплате труда работников (за исключением научных сотрудников) Института;

внебюджетные средства Национального университета Узбекистана имени Мирзо Улугбека;

средства Государственного бюджета Республики Узбекистан, выделяемые для реализации государственных научных программ;

средства, поступающие от хозяйственной и предпринимательской деятельности;

средства, поступающие в рамках грантов международных финансовых и других институтов, иностранных организаций;

иные источники, не запрещенные законодательством.

7. Установить, что:

на работников Института распространяются условия оплаты и материального стимулирования труда, установленные для соответствующих должностей научно-исследовательских учреждений Академии наук Республики Узбекистан;

бюджетные ассигнования на содержание Института в 2018 году выделяются по обоснованным расчетам Министерства высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан в пределах утвержденных параметров Государственного бюджета Республики Узбекистан на 2018 год на социальную сферу, а начиная с 2019 года предусматриваются в параметрах расходов Государственного бюджета Республики Узбекистан, выделяемых на отрасль "Наука".

8. Министерству высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан обеспечить:

в месячный срок разработку и утверждение Устава Института, а также его государственную регистрацию в установленном порядке;

до начала 2018/2019 учебного года укомплектование Института высококвалифицированными кадрами из числа опытных специалистов и научно-педагогических кадров высших образовательных и научно-исследовательских учреждений республики, способных на высоком организационном уровне вести образовательную и научную деятельность;

начиная с 2019/2020 учебного года организацию учебного процесса в дифференцированном порядке на базе лабораторий Института для студентов 2-4 курсов бакалавриата направлений образования "Физика", "Методика преподавания физики и астрономии", "Биомедицинская физика" и соответствующих специальностей магистратуры высших образовательных учреждений республики и прохождение ими квалификационных практик для защиты выпускных квалификационных работ и магистерских диссертаций.

9. Принять предложение Министерства высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан о передаче Институту на безвозмездной основе на праве оперативного управления зданий и сооружений Алмазарского академического лицея при Ташкентском государственном институте востоковедения (далее - Лицей) с прилегающей территорией, расположенных по адресу: город Ташкент, Алмазарский район, ул. Янги Алмазар, 20 (далее - объект).

Определить, что учащиеся Лицея продолжат образовательный процесс в зданиях Института до окончания ими обучения.

Министерству высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан обеспечить в установленном порядке прием-передачу объекта.

10. Министерству высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан совместно с Институтом в двухмесячный срок разработать и внести в Кабинет Министров Республики Узбекистан предложения по оснащению лабораторий Института современным научным оборудованием, обеспечению расходными материалами и комплектующими.

11. Согласиться с предложением Высшей аттестационной комиссии при Кабинете Министров Республики Узбекистан и Министерства высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан об организации в Институте Научного совета по присуждению ученой степени доктора философии (PhD) по специальности 01.04.10 - физика полупроводников.

12. Министерству высшего и среднего специального образования Республики Узбекистан и Институту совместно с потенциальными заказчиками (потребителями) - организациями реальных секторов экономики республики в трехмесячный срок обеспечить проведение изучения потребностей отраслей экономики в научно-исследовательских и инновационных разработках в области физики полупроводников, полупроводниковой микроэлектроники, материаловедения, гелиофизики и альтернативных источников энергии, а также современных мировых тенденций развития научных исследований в данной сфере.

По итогам изучения разработать и внести на утверждение в Кабинет Министров Республики Узбекистан Комплексную целевую научно-техническую программу разработки инновационных технологий и создания новых полупроводниковых материалов в